產(chǎn)ICP元素光譜分析儀ICP2060T可用于地質(zhì)、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、核工業(yè)、農(nóng)業(yè)、食品商檢、水質(zhì)等各領(lǐng)域及學(xué)科的樣品分析?？梢钥焖?、準(zhǔn)確地檢測從微量到常量約70種元素。產(chǎn)ICP元素光譜分析儀技術(shù)指標(biāo)參照家標(biāo)準(zhǔn)《 JJG 768-2005 發(fā)射光譜儀檢定規(guī)程》執(zhí)行。
ICP2060T技術(shù)指標(biāo)：
固態(tài)射頻發(fā)生器，水冷，功率范圍750W-1600W。
帶有自動(dòng)匹配功能。
鍵自動(dòng)點(diǎn)火，帶有檢查氣路以及報(bào)錯(cuò)功能。
光室?guī)в泻銣叵到y(tǒng)，32±0.1℃。
等離子火焰可以前后、上下移動(dòng)，進(jìn)行觀測位置優(yōu)化。
詳細(xì)參數(shù)如下表：
| 光柵刻線 | 光柵：2400刻線 | 光柵：3600刻線 | 光柵：4320刻線 | |
| 波長 | 范圍 | 190nm-800nm | 190nm-500nm | 190nm-420nm |
| 示值誤差 | ±0.03nm | ±0.03nm | ±0.03nm | |
| 重復(fù)性 | ≦0.005nm | ≦0.005nm | ≦0.005nm | |
| 小光譜帶寬 | Mn 257.610nm 半高寬≦0.030nm | Mn 257.610nm 半高寬≦0.015nm | Mn 257.610nm 半高寬≦0.007nm | |
| 檢出限/(μg/L) | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm）≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007 Ba(455.403nm）≦ 0.001 | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm）≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007 Ba(455.403nm）≦ 0.001 | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm）≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007
| |
| 重復(fù)性 | 3號溶液 RSD≤1.5% | 3號溶液 RSD≤1.5（%） | 3號溶液 RSD≤1.5（%）） | |
| 穩(wěn)定性 | 3號溶液 RSD≤2% | 3號溶液 RSD≤2% | 3號溶液 RSD≤2% | |
ICP2060T工作環(huán)境要求
不要將儀器直接安裝在窗戶邊或者門邊，避免對流、灰塵、腐蝕性氣體及振動(dòng)。
請遠(yuǎn)離強(qiáng)電磁場干擾。
環(huán)境溫度：20～25℃。
工作濕度：≤ 70%。
儀器應(yīng)放置在平穩(wěn)的工作臺上，無振動(dòng)，儀器上方應(yīng)有排風(fēng)系統(tǒng)，儀器附近應(yīng)無強(qiáng)光直射及強(qiáng)
烈電磁場干擾，環(huán)境中應(yīng)無強(qiáng)烈腐蝕性氣體。
性能描述：
廠家介紹
是專業(yè)生產(chǎn)ROHS檢測儀，氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀,鍍層測厚儀，電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,ROHS分析儀，X射線鍍層測厚儀，，ROHS測量儀，液相色譜儀，ROHS2.0分析儀，XRF，X熒光光譜儀，汽油中硅含量檢測儀， ROHS檢測儀器，手持式合金分析儀等，涉及的儀器設(shè)備主要有EDX1800B,Thick800A，Thick8000，ICP2060T,GCMS6800，ICPMS2000等。
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。